ReRAM oder resistive Speicherzellen sind eine Art nichtflüchtiger Speicher, der einige Ähnlichkeiten mit dem Phasenwechselspeicher aufweist, da beide als Arten von Memristortechnologien angesehen werden.
ReRAM, auch RRAM (Resistive Random Access Memory) genannt, wird als eine Art Memristortechnologie angesehen, ein passives elektronisches Gerät mit zwei Anschlüssen, das nur die Eigenschaft einer elektronischen Komponente ausdrückt, mit der es an den letzten Widerstand erinnert, den es zuvor hatte abgeschaltet werden („memristance“).
Wie ReRAM funktioniert
ReRAM speichert Daten unter Verwendung von Ionen (geladenen Atomen) als Änderungen des elektrischen Widerstands anstelle von Elektronen. Laut Forschern der J lich Aachen Research Alliance (JARA) kann resistives Gedächtnis den Energieverbrauch moderner IT-Systeme senken und gleichzeitig die Leistung steigern.
In resistiven Schaltspeicherzellen (ReRAMs) verhalten sich Ionen im Nanometerbereich ähnlich wie Batterien. Die Zellen haben zwei Elektroden, beispielsweise aus Silber und Platin, an denen sich die Ionen auflösen und dann wieder ausfallen. Dies ändert den elektrischen Widerstand, der zur Datenspeicherung genutzt werden kann. Auch die Reduktions- und Oxidationsprozesse haben einen weiteren Effekt, sie erzeugen elektrische Spannung. [Quelle: JARA]
Derzeit haben eine Reihe von Unternehmen Versionen von ReRAM patentiert. Verschiedene Formen von ReRAM basieren auf der Verwendung verschiedener dielektrischer Materialien, einschließlich Metalloxiden.